A.電子碰撞電離
B.流注
C.小橋
D.湯遜
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A.電子碰撞電離
B.流注
C.小橋
D.湯遜
A.240nm-280nm
B.0.75μm-1000μm
C.2μm-14μm
D.10nm-400nm
A.2.0倍
B.3.0倍
C.3.5倍
D.4.0倍
A.時(shí)高時(shí)低
B.相同
C.低
D.高
A.會(huì)減少但不會(huì)改變滅弧能力
B.不會(huì)減少也不會(huì)改變滅弧能力
C.不會(huì)減少但會(huì)改變滅弧能力
D.會(huì)減少也會(huì)改變滅弧能力
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最新試題
40.5kV及以上非純瓷套管和多油斷路器的tanδ應(yīng)在分閘狀態(tài)下按每支套管進(jìn)行測(cè)量。
試驗(yàn)變壓器波形畸變的根本原因是調(diào)壓器和試驗(yàn)變壓器的漏抗以及電容負(fù)載所造成。
雙斷口的SF6系列斷路器有兩個(gè)斷口,為了使各個(gè)斷口在分、合閘時(shí)承受接近均等的電壓,一般用電容進(jìn)行均壓。
直流高壓試驗(yàn)采用高壓硅堆作整流元件時(shí),高壓硅堆上的反峰電壓使用值不能超過(guò)硅堆的額定反峰電壓,其額定整流電流應(yīng)大于工作電流,并有一定的裕度。
電容式傳感器最常用的形式是由兩個(gè)平行電極組成、極間以空氣為介質(zhì)的電容器。
在現(xiàn)場(chǎng)采用介損儀測(cè)量設(shè)備的介損tgδ時(shí),若存在電場(chǎng)干擾,則在任意測(cè)試電源極性的情況下,所測(cè)得tgδ值一定比真實(shí)的tgδ增大。
操作波的極性對(duì)變壓器外絕緣來(lái)講,正極性比負(fù)極性閃絡(luò)電壓低得多。
溫差是指被測(cè)設(shè)備表面溫度和環(huán)境溫度參照體表面溫度之差。
描迷電場(chǎng)的電力線總是起始于正電荷,終止于負(fù)電荷,電力線既不閉合、不間斷、不相交。
絕緣良好的tgδ不隨電壓的升高而明顯增加。若絕緣內(nèi)部有缺陷,則其tgδ將隨電壓的升高而明顯增加。