A.電擊穿
B.電化學(xué)擊穿
C.熱擊穿
D.電離擊穿
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A.電擊穿
B.電化學(xué)擊穿
C.熱擊穿
D.電離擊穿
A.U/n
B.nU
C.U/2n
D.U/3n
A.雷電壓
B.過電壓
C.耐受電壓
D.操作電壓
A.氧氣
B.SF6
C.氮?dú)?br />
D.氫氣
A.1/2
B.1/4
C.1/8
D.1/16
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最新試題
絕緣良好的tgδ不隨電壓的升高而明顯增加。若絕緣內(nèi)部有缺陷,則其tgδ將隨電壓的升高而明顯增加。
電容式傳感器最常用的形式是由兩個(gè)平行電極組成、極間以空氣為介質(zhì)的電容器。
電容器制造的主要材料為電容器紙、電容器油和金屬或瓷外殼。
在規(guī)定時(shí)間內(nèi)承載被保護(hù)部分的負(fù)載電流或(和)故障電流,以防止電容器過電壓或金屬氧化物限壓器過負(fù)荷的受控觸發(fā)間隙。
主變高壓套管帶電檢測(cè),其檢測(cè)阻抗能否直接串入電容接地線測(cè)量。
操作波的極性對(duì)變壓器外絕緣來講,正極性比負(fù)極性閃絡(luò)電壓低得多。
線路用帶串聯(lián)間隙金屬氧化物避雷器,每年根據(jù)運(yùn)行年限和放電動(dòng)作次數(shù)等因素確定抽樣比例,將運(yùn)行時(shí)間比較長或動(dòng)作次數(shù)比較多的避雷器拆下進(jìn)行預(yù)防性試驗(yàn)。
直流高壓試驗(yàn)采用高壓硅堆作整流元件時(shí),高壓硅堆上的反峰電壓使用值不能超過硅堆的額定反峰電壓,其額定整流電流應(yīng)大于工作電流,并有一定的裕度。
交流耐壓試驗(yàn)電壓波形應(yīng)是正弦或接近正弦,兩個(gè)半波應(yīng)完全一樣,且波頂因數(shù)即峰值與有效值之比應(yīng)等于√2±0.07。
通過通過調(diào)整缺陷設(shè)備的運(yùn)行方式并不能使設(shè)備的缺陷降級(jí),因?yàn)槿毕萑匀淮嬖凇?/p>