A.2000V
B.1500V
C.1000V
D.500V
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A.氧
B.氮
C.抗氧化劑
D.有機(jī)酸
A.50-100nm
B.200-400nm
C.400-500nm
D.500-700nm
A.小于或等于
B.小于
C.等于
D.大于
A.小于或等于
B.小于
C.等于
D.大于
A.帶電檢測(cè)
B.在線監(jiān)測(cè)
C.在線檢測(cè)
D.狀態(tài)檢修
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最新試題
液壓機(jī)構(gòu)的合閘電磁鐵的動(dòng)鐵心卡死,是造成不能可靠合閘的重大隱患。
考慮系統(tǒng)短路電流產(chǎn)生的動(dòng)穩(wěn)定和熱穩(wěn)定效應(yīng)的電氣設(shè)備有變壓器、斷路器、電流互感器、耦合電容器。
重大缺陷消缺率和及時(shí)率的要求分別為90%和85%。
40.5kV及以上非純瓷套管和多油斷路器的tanδ應(yīng)在分閘狀態(tài)下按每支套管進(jìn)行測(cè)量。
在現(xiàn)場(chǎng)相同條件下(好天氣),用介損儀測(cè)量小電容試品的tgδ和Cx時(shí),用正接線方法和反接線方法測(cè)量結(jié)果是完全相同的。
對(duì)現(xiàn)場(chǎng)使用的電氣儀器儀表,儀表本身消耗的功率越小越好,否則在測(cè)小功率時(shí),會(huì)使電路工況改變而引起附加誤差。
當(dāng)電力設(shè)備的額定電壓與實(shí)際使用的額定電壓不同時(shí),當(dāng)采用額定電壓較高的設(shè)備以加強(qiáng)絕緣時(shí),應(yīng)按照設(shè)備的額定電壓確定其試驗(yàn)電壓。
絕緣良好的tgδ不隨電壓的升高而明顯增加。若絕緣內(nèi)部有缺陷,則其tgδ將隨電壓的升高而明顯增加。
直流高壓試驗(yàn)采用高壓硅堆作整流元件時(shí),高壓硅堆上的反峰電壓使用值不能超過硅堆的額定反峰電壓,其額定整流電流應(yīng)大于工作電流,并有一定的裕度。
通過通過調(diào)整缺陷設(shè)備的運(yùn)行方式并不能使設(shè)備的缺陷降級(jí),因?yàn)槿毕萑匀淮嬖凇?/p>