直流高壓試驗(yàn)采用高壓硅堆作整流元件時(shí)，高壓硅堆上的反峰電壓使用值不能超過硅堆的額定反峰電壓，其額定整流電流應(yīng)大于工作電流，并有一定的裕度。

試驗(yàn)變壓器波形畸變的根本原因是調(diào)壓器和試驗(yàn)變壓器的漏抗以及電容負(fù)載所造成。

在現(xiàn)場采用介損儀測量設(shè)備的介損tgδ時(shí)，若存在電場干擾，則在任意測試電源極性的情況下，所測得tgδ值一定比真實(shí)的tgδ增大。

超高頻局部放電試驗(yàn)?zāi)軌虬l(fā)現(xiàn)設(shè)備內(nèi)部發(fā)熱、放電及絕緣缺陷。

交流耐壓試驗(yàn)時(shí)，應(yīng)測量試驗(yàn)電壓的峰值Um，并使Um/√2＝標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的試驗(yàn)電壓U（有效值）。

如經(jīng)實(shí)用證明利用帶電測試或在線監(jiān)測技術(shù)能達(dá)到停電試驗(yàn)的效果，可以延長停電試驗(yàn)周期或不做停電試驗(yàn)，同時(shí)報(bào)省一級公司備案。

交流耐壓試驗(yàn)電壓波形應(yīng)是正弦或接近正弦，兩個(gè)半波應(yīng)完全一樣，且波頂因數(shù)即峰值與有效值之比應(yīng)等于√2±0.07。

電容式傳感器最常用的形式是由兩個(gè)平行電極組成、極間以空氣為介質(zhì)的電容器。

當(dāng)電力設(shè)備的額定電壓與實(shí)際使用的額定電壓不同時(shí)，當(dāng)采用額定電壓較高的設(shè)備作為代用時(shí)，應(yīng)按照實(shí)際使用的額定電壓確定其試驗(yàn)電壓。

絕緣良好的tgδ不隨電壓的升高而明顯增加。若絕緣內(nèi)部有缺陷，則其tgδ將隨電壓的升高而明顯增加。