在現(xiàn)場采用介損儀測量設(shè)備的介損tgδ時(shí)，若存在電場干擾，則在任意測試電源極性的情況下，所測得tgδ值一定比真實(shí)的tgδ增大。

超高頻局部放電試驗(yàn)?zāi)軌虬l(fā)現(xiàn)設(shè)備內(nèi)部發(fā)熱、放電及絕緣缺陷。

考慮系統(tǒng)短路電流產(chǎn)生的動(dòng)穩(wěn)定和熱穩(wěn)定效應(yīng)的電氣設(shè)備有變壓器、斷路器、電流互感器、耦合電容器。

直流高壓試驗(yàn)采用高壓硅堆作整流元件時(shí)，高壓硅堆上的反峰電壓使用值不能超過硅堆的額定反峰電壓，其額定整流電流應(yīng)大于工作電流，并有一定的裕度。

將并聯(lián)有晶閘管閥及其電抗器的電容器串接于輸電線路中，并配有旁路斷路器、隔離開關(guān)、串補(bǔ)平臺(tái)、支撐絕緣子、控制保護(hù)系統(tǒng)等附屬設(shè)備組成的裝置，簡稱可控串補(bǔ)。