A.N區(qū)內(nèi)的雜質(zhì)正離子是順著外電場(chǎng)的方向運(yùn)動(dòng)
B.N區(qū)內(nèi)的多子電子是順著外電場(chǎng)的方向運(yùn)動(dòng)
C.P區(qū)內(nèi)的雜質(zhì)負(fù)離子是逆著外電場(chǎng)的方向運(yùn)動(dòng)
D.P區(qū)內(nèi)的多子空穴是順著外電場(chǎng)的方向運(yùn)動(dòng)
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你可能感興趣的試題
A.N區(qū)的空穴與P區(qū)的電子形成的電流,稱為反向電流
B.N區(qū)的空穴與P區(qū)的電子都遠(yuǎn)離空間電荷區(qū),使空間電荷區(qū)變寬
C.N區(qū)的電子與P區(qū)的空穴都靠近空間電荷區(qū),使空間電荷區(qū)變寬
D.N區(qū)的電子與P區(qū)的空穴形成的電流,稱為反向電流
A.差模信號(hào)的電壓放大倍數(shù)Aud越小,共模信號(hào)的電壓放大倍數(shù)Auc越大,共模抑制比越大
B.差模信號(hào)的電壓放大倍數(shù)Aud越大,共模信號(hào)的電壓放大倍數(shù)Auc越大,共模抑制比越大
C.差模信號(hào)的電壓放大倍數(shù)Aud越小,共模信號(hào)的電壓放大倍數(shù)Auc越小,共模抑制比越大
D.差模信號(hào)的電壓放大倍數(shù)Aud越大,共模信號(hào)的電壓放大倍數(shù)Auc越小,共模抑制比越大
A.相頻、幅頻、線性、頻率
B.相頻、幅頻、非線性、頻率
C.幅頻、相頻、非線性、線性
D.幅頻、相頻、線性、頻率
A.高輸入阻抗、低共模抑制比、低漂移的小信號(hào)放大電路
B.低輸入阻抗、高共模抑制比、低漂移的小信號(hào)放大電路
C.低輸入阻抗、低共模抑制比、低漂移的小信號(hào)放大電路
D.高輸入阻抗、高共模抑制比、低漂移的小信號(hào)放大電路
A.濾波
B.負(fù)反饋
C.整流
D.選頻
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最新試題
過(guò)壓狀態(tài)的工作特性是()
多級(jí)直接耦合放大器的輸出級(jí)通常是()電路。
遲滯比較器回差電壓的大小體現(xiàn)了()。
當(dāng)混頻器輸入信號(hào)的頻率增高一倍時(shí),輸出中頻信號(hào)頻率()。
中頻放大器的諧振曲線越接近矩形,說(shuō)明()。
如圖所示電路,晶體管的β=100,rbe=1kΩ,Rc=3kΩ。1.現(xiàn)測(cè)得靜態(tài)管壓降UCEQ=6V,試求Rb阻值。2.若測(cè)得和的有效值分別為1mV和100mV,求負(fù)載電阻RL大小。
微分器的輸出幅度不隨()變化而變化。
組成多級(jí)放大器的目的是()。
N溝道和P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管所加的柵極控制電壓均為()。
不加反饋電路的集成運(yùn)算放大器只能做()。