多項(xiàng)選擇題在Diameter協(xié)議配置中需要與對(duì)端協(xié)商的參數(shù)有（）

A.本端和對(duì)端IP地址
B.本端和對(duì)端使用的SCTP端口
C.本端和對(duì)端使用的Diameter鏈路號(hào)
D.本端和對(duì)端使用的主機(jī)名稱


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1.多項(xiàng)選擇題實(shí)施告矜關(guān)聯(lián)，可以壓縮告羚數(shù)量，準(zhǔn)確定位故障。告警關(guān)聯(lián)主要的關(guān)聯(lián)規(guī)則是（）

A.主次關(guān)聯(lián)
B.級(jí)別關(guān)聯(lián)
C.衍生關(guān)聯(lián)
D.次數(shù)關(guān)聯(lián)

2.多項(xiàng)選擇題下列哪些功能屬于MMK POOL維度的操作維護(hù)功能（）。

A.性能統(tǒng)計(jì)
B.配置數(shù)據(jù)核查
C.負(fù)載均衡
D.用戶管理

3.多項(xiàng)選擇題當(dāng)需要更換單板時(shí)，要遵循哪些基本原則（）

A.操作時(shí)，必需戴防靜電手環(huán)，并且保證手環(huán)與機(jī)柜上的靜電泄放孔接觸良好
B.必須以同類型同型號(hào)單板更換原單板，且槽位不能插錯(cuò)
C.更換單板前，需確認(rèn)新單板和原來(lái)單板燒制的芯片程序完全一致
D.必須在安全時(shí)間（一般是0：00〜6：00）里更換單板

4.多項(xiàng)選擇題以下哪個(gè)網(wǎng)元不控制UE-AMBR（）

A.eNodeB
B.MME
C.S-GW
D.P-GW

5.多項(xiàng)選擇題下列哪項(xiàng)屬于承載級(jí)的QoS參數(shù)（）

A.QCI
B.UE-AMBR
C.MBR
D.GBR

最新試題

中國(guó)移動(dòng)TD-LTE網(wǎng)絡(luò)北向接口配置和性能數(shù)據(jù)完整性檢查應(yīng)該包括哪些網(wǎng)元類型？

題型：?jiǎn)柎痤}

在定點(diǎn)測(cè)試—法線方向好中差定點(diǎn)上下行吞吐量測(cè)試”中“好點(diǎn)，中點(diǎn)，差點(diǎn)”定義的SINR和RSRP一般分別是多少？

題型：?jiǎn)柎痤}

請(qǐng)寫(xiě)出TDLTE小區(qū)下行FSS調(diào)度的5個(gè)條件？

題型：?jiǎn)柎痤}

在建設(shè)EPC網(wǎng)絡(luò)時(shí)，請(qǐng)您簡(jiǎn)述如何實(shí)現(xiàn)IP包的抓取和分析。

題型：?jiǎn)柎痤}

某TDLTER8處于小區(qū)B1超過(guò)20秒，鄰區(qū)有A（高優(yōu)先級(jí)）、B2（同優(yōu)先級(jí)）及C（低優(yōu)先級(jí)）。參數(shù)設(shè)置如下：threshXHigh=threshXLow=threshServingLow=20dB；qOffsetCell=0dB；qHyst=6dB。tReselection=1秒；qRxLevMin=-115dBm；offsetFreq=0所有小區(qū)的RSRP測(cè)量值（連續(xù)一秒）如下：A：-97dBmB1：-96dBmB2：-92dBmC：-94dBm請(qǐng)用R8的重選規(guī)則評(píng)估所有小區(qū)，然后找出最終重選目標(biāo)小區(qū)？

題型：?jiǎn)柎痤}

簡(jiǎn)單說(shuō)明CFI信息的含義？

題型：?jiǎn)柎痤}

請(qǐng)描述一下，目前中移TD-LTE網(wǎng)絡(luò)可用頻段起止范圍，及其相應(yīng)頻段名稱？

題型：?jiǎn)柎痤}

簡(jiǎn)要說(shuō)明TD-LTE物理層幀結(jié)構(gòu)。

題型：?jiǎn)柎痤}

在MME上配置ENODEB，需要規(guī)劃并配置哪些數(shù)據(jù)？

題型：?jiǎn)柎痤}

簡(jiǎn)述外場(chǎng)測(cè)試數(shù)據(jù)分析時(shí)主要關(guān)注哪些參數(shù)，每個(gè)參數(shù)的作用？

題型：?jiǎn)柎痤}