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MOS管的制作一般經(jīng)過阱區(qū)制作、有源區(qū)光刻、柵氧淀積、柵的淀積和光刻、源漏注入、接觸孔光刻、金屬淀積及反刻、鈍化等工藝。
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判斷題
當(dāng)掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移到下方薄膜材料上時(shí),必須要考慮到光刻膠的性質(zhì)(正膠還是負(fù)膠)。
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判斷題
如果掩模版上絕大多數(shù)部分是不透光的區(qū)域,只有很少一部分透光,這種掩模版稱為亮場掩模版。
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