測得電路中晶體三極管各電極相對于地的電位如圖，從而可判斷該晶體管工作在（）。
A.飽和狀態(tài)
B.放大狀態(tài)
C.倒置狀態(tài)
D.截止?fàn)顟B(tài)
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工作在放大狀態(tài)的三極管兩個電極電流如圖，那么，第三個電極的電流大小、方向和管腳自左至右順序分別為（）。
A.0.03mA 流出三極管ecb
B.0.03mA 流進三極管ecb
C.0.03mA 流出三極管ceb
D.0.03mA 流進三極管ceb
A.正向偏置時導(dǎo)通，反向偏置時截止
B.反向偏置時無電流流過二極管
C.反向擊穿后立即燒毀
D.導(dǎo)通時可等效為一線性電阻
A.正常
B.斷路
C.被擊穿
D.短路
A.阻當(dāng)層不變，反向電流基本不變
B.阻當(dāng)層變厚，反向電流基本不變
C.阻當(dāng)層變窄，反向電流增大
D.阻當(dāng)層變厚，反向電流減小
A.自由電子和空穴數(shù)目都增多，且增量相同
B.空穴增多，自由電子數(shù)目不變
C.自由電子增多，空穴不變
D.自由電子和空穴數(shù)目都不變
最新試題
?verilogHDL中已經(jīng)預(yù)先定義了的門級原型的符號有（）。
?verilogHDL的基本結(jié)構(gòu)中通常需要進行模塊范圍的定義，VerilogHDL的模塊范圍的定義的開始和結(jié)束方式是（）。
CG放大器具有較（）的輸入電阻和較（）的輸出電阻。?
以下哪個MOS放大器組態(tài)結(jié)構(gòu)最適合用在電壓信號處理系統(tǒng)的最后一級？?（）
現(xiàn)在定義了一個1位的加法器addbit（ci，a，b，co，sum），模塊的結(jié)果用表達式表示為{co，sub}=a+b+ci，其中a，b為兩個加數(shù)，ci為來自低位的進位，sum為和，co為向高位的進位，如果以此1位加法器構(gòu)建四位加法器，同時定義頂層模塊中的端口信號和中間變量的定義：下面通過層次調(diào)用的方式進行邏輯實現(xiàn)中的表達式正確的是（）。
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū)，若uDS繼續(xù)增大時，溝道夾斷點向漏極移動。
?在verilogHDL的數(shù)字表達方式用，和十進制數(shù)127表示的數(shù)字相同的表達方式有（）。
?數(shù)字頻率計采用4個數(shù)字的BCD碼計數(shù)器，若采樣時間0.01s，那么它能夠測量的最大頻率是多少？（）
已知某N溝道增強型MOS場效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值，那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為（）。
?電路如圖所示，如果電容C2開路，則MOSFET的漏極直流電壓將會（），漏極交流電壓將會（），增益將會（）。