A.正常細(xì)胞
B.克隆源性細(xì)胞
C.輻射敏感性細(xì)胞
D.輻射不敏感性細(xì)胞
E.干細(xì)胞
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A.分割次數(shù)
B.照射技術(shù)
C.受照深度
D.劑量率
E.照射體積
A.Km
B.Katt
C.Nx
D.Ng
E.Nd
A.Km
B.Katt
C.Nx
D.Nk
E.Nd
A.不同層面的輪廓圖方式表示
B.三維的輪廓圖形方式表示
C.CT值數(shù)據(jù)圖像方式表示
D.DRR圖像方式表示
E.CT值的三維矩陣轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的三維電子密度方式來(lái)表示
A.6~9MeV
B.9~12MeV
C.12~15MeV
D.15~18MeV
E.18~20MeV
最新試題
電離室型劑量?jī)x在每次測(cè)量前必需對(duì)氣溫和氣壓進(jìn)行修正。
檢查燈光野與射野的一致性通常用膠片法。
射線能量越高,百分深度劑量隨射野面積的改變?cè)叫 ?/p>
兩種不同深度處的百分深度劑量比值稱為射線質(zhì)指數(shù)或能量指數(shù)。
低LET射線照射哺乳動(dòng)物細(xì)胞存活曲線在低劑量段有肩區(qū),提示()。
目前靶區(qū)劑量的精確性規(guī)定應(yīng)達(dá)到()。
帶電粒子與物質(zhì)的一次相互作用可以損失其能量的全部或很大一部分。
帶電粒子入射到物體時(shí),沒(méi)有確定的射程。
電磁掃描調(diào)強(qiáng)不僅具有X 射線光子的利用率高、治療時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn),而且可實(shí)現(xiàn)電子束、質(zhì)子束的調(diào)強(qiáng)治療。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí),應(yīng)采用雙平面插植。