A.鋁
B.銅
C.石墨
D.不銹鋼
E.有機(jī)玻璃
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A.全用192Ir放射源旋轉(zhuǎn)動(dòng)態(tài)聚焦照射
B.少源（30個(gè)60Co放射源）旋轉(zhuǎn)動(dòng)態(tài)聚焦照射
C.少源靜態(tài)聚焦照射
D.用高能醫(yī)用加速器旋轉(zhuǎn)聚焦照射
E.多源靜態(tài)聚焦照射
A.252Cf
B.102Ir
C.137Cs
D.60Co
E.226Ra
A.DNA
B.RNA
C.細(xì)胞膜
D.細(xì)胞質(zhì)
E.細(xì)胞核
A、中淺層X(jué)射線
B、高能X射線
C、電子束
D、鈷-60射線
E、深部X射線
A、必須使用線源并且相互平行
B、所有放射源的中心必須位于同一平面
C、所有線源強(qiáng)度必須注明和均勻
D、相鄰放射源的間距必須相等
E、當(dāng)使用較長(zhǎng)的放射源時(shí)，源間空隙會(huì)狹窄
最新試題
關(guān)于組織補(bǔ)償?shù)拿枋?，錯(cuò)誤的是（）。
兩種不同深度處的百分深度劑量比值稱(chēng)為射線質(zhì)指數(shù)或能量指數(shù)。
關(guān)于曼徹斯特系統(tǒng)的描述錯(cuò)誤的是（）。
治療證實(shí)是治療準(zhǔn)確執(zhí)行的重要保證，包括驗(yàn)證記錄系統(tǒng)，射野影像系統(tǒng)，活體劑量測(cè)量系統(tǒng)。
隨能量增大，光電效應(yīng)發(fā)生的概率迅速減小。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
半影為射野邊緣劑量隨離開(kāi)中心軸距離增加而急劇變化的范圍。
光電效應(yīng)時(shí)入射X（γ）光子的能量一部分轉(zhuǎn)化為次級(jí)電子動(dòng)能，另一部分為特征X 射線能量。
電離室型劑量?jī)x在每次測(cè)量前必需對(duì)氣溫和氣壓進(jìn)行修正。
實(shí)際患者治療時(shí)，無(wú)環(huán)重定位技術(shù)的靶點(diǎn)位置總的治療精度稍劣于有環(huán)技術(shù)。