A.管電壓數(shù)
B.生產(chǎn)廠家
C.機(jī)器型號(hào)
D.管電流
E.射野大小
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A.惡性腫瘤
B.腦膜瘤
C.AVM
D.垂體瘤
E.聽神經(jīng)瘤
A.10Gy
B.13Gy
C.15Gy
D.24Gy
E.35Gy
A.0.8~1.0
B.1.0~1.2
C.1.2~1.5
D.1.1~1.8
E.1.5~2.2
A.平均線性衰減系數(shù)之比
B.平均質(zhì)量吸收系數(shù)之比
C.質(zhì)量阻止本領(lǐng)之比
D.電子密度之比
E.質(zhì)量衰減系數(shù)之比
A.穩(wěn)定照射范圍
B.提高輸出劑量率
C.減少靶區(qū)邊緣半影
D.改善靶區(qū)劑量的均勻性
E.保護(hù)靶區(qū)外的正常組織
最新試題
對(duì)射野輸出劑量的檢測(cè)頻率，加速器高于鈷60機(jī)。
關(guān)于組織補(bǔ)償?shù)拿枋?，錯(cuò)誤的是（）。
質(zhì)量保證和質(zhì)量控制的簡(jiǎn)稱分別為QA、QC。
光電效應(yīng)時(shí)入射X（γ）光子的能量一部分轉(zhuǎn)化為次級(jí)電子動(dòng)能，另一部分為特征X 射線能量。
實(shí)際患者治療時(shí)，無(wú)環(huán)重定位技術(shù)的靶點(diǎn)位置總的治療精度稍劣于有環(huán)技術(shù)。
低LET射線的RBE值（）1.0，高LET射線的RBE值（）2.0。
隨能量增大，光電效應(yīng)發(fā)生的概率迅速減小。
帶電粒子入射到物體時(shí)，沒(méi)有確定的射程。
半影為射野邊緣劑量隨離開中心軸距離增加而急劇變化的范圍。
準(zhǔn)直器所產(chǎn)生的散射線對(duì)劑量的貢獻(xiàn)主要源于二級(jí)準(zhǔn)直器。