A.<1mm
C.<3mm
D.<4mm
E.<5mm
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A.放大線國(guó)
B.四端環(huán)流器
C.均整濾過(guò)器
D.電子散射箔
E.偏轉(zhuǎn)磁鐵
A.電離室
B.正比計(jì)數(shù)器
C.GM計(jì)數(shù)器
D.閃爍探測(cè)器
E.半導(dǎo)體探測(cè)器
A.調(diào)強(qiáng)放射治療與適形放射治療唯一的區(qū)別是使用逆向泊療計(jì)劃設(shè)計(jì)
B.調(diào)強(qiáng)放射治療只能使用筆形束的劑量計(jì)算方法
C.調(diào)強(qiáng)放射治療的實(shí)施方式只有動(dòng)態(tài)調(diào)強(qiáng)和靜態(tài)調(diào)強(qiáng)兩種
D.調(diào)強(qiáng)放射治療通常是在射野內(nèi)進(jìn)行強(qiáng)度調(diào)整
E.調(diào)強(qiáng)放射治療只適用于凹形靶區(qū)
A.探測(cè)中子
B.探測(cè)電子
C.大致確定能量
D.準(zhǔn)確測(cè)定劑量
E.快速定位泄漏位置
A.X射線管
B.高壓發(fā)生器
C.控制臺(tái)
D.冷卻系統(tǒng)
最新試題
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
射線能量越高,百分深度劑量隨射野面積的改變?cè)叫 ?/p>
質(zhì)子束的優(yōu)勢(shì)在于布拉格峰形百分深度劑量分布。
帶電粒子與物質(zhì)的一次相互作用可以損失其能量的全部或很大一部分。
對(duì)鈷60機(jī)射野的對(duì)稱(chēng)性和平坦度的檢查應(yīng)每月一次。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí),應(yīng)采用雙平面插植。
光電效應(yīng)時(shí)入射X(γ)光子的能量一部分轉(zhuǎn)化為次級(jí)電子動(dòng)能,另一部分為特征X 射線能量。
實(shí)際患者治療時(shí),無(wú)環(huán)重定位技術(shù)的靶點(diǎn)位置總的治療精度稍劣于有環(huán)技術(shù)。
對(duì)重離子,線性碰撞本領(lǐng)是選擇組織替代材料的首要條件。
關(guān)于組織補(bǔ)償?shù)拿枋?,錯(cuò)誤的是()。