A.γ射線能量較低
B.半衰期59天
C.用于插植治療
D.防護(hù)容易
E.劑量分布不隨被擂植組織結(jié)構(gòu)變化
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A.晚S>G2M>早S>G1
B.早S>G2M>G1>晚S
C.G2M>G1>早S>晚S
D.G2M>晚S>早S>G1
E.早S>G1>G2M>晚S
A.可有效地避免對(duì)靶區(qū)后深部組織的照射
B.皮膚的劑量相對(duì)較高,且隨電子的能量增加而增加
C.百分深度劑量隨射野大小特別在射野較小時(shí)變化明顯
D.輸出劑量按平方反比定律計(jì)算
E.主要用于治療表淺或偏心的腫瘤和侵潤(rùn)淋巴結(jié)
A.電離室、熱釋光、半導(dǎo)體和量熱法等
B.電離室、半導(dǎo)體、量熱法和化學(xué)劑量計(jì)法等
C.電離室、半導(dǎo)體、量熱法和膠片法等
D.半導(dǎo)體、熱釋光、膠片法和化學(xué)劑量計(jì)等
E.電離室、半導(dǎo)體、熱釋光和膠片法等
A.偏轉(zhuǎn)磁鐵
B.真空的飛行管
C.聚焦導(dǎo)航線圈
D.聚焦線圈τ
E.磁控管
A.光釋光系統(tǒng)
B.原子核徑跡乳膠
C.膠片劑量計(jì)
D.熱釋光劑量計(jì)
E.電子個(gè)人劑量計(jì)
最新試題
帶電粒子與物質(zhì)的一次相互作用可以損失其能量的全部或很大一部分。
人體曲面校正的組織空氣比法或組織最大劑量比方法的修正因子CF的表達(dá)式是()。
影響靶點(diǎn)位置精確度的因素包括機(jī)械精度,定位精度和擺位精度。
質(zhì)量保證和質(zhì)量控制的簡(jiǎn)稱分別為QA、QC。
質(zhì)子束的優(yōu)勢(shì)在于布拉格峰形百分深度劑量分布。
等效射野指的是通過計(jì)算換算后的方形野。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
電離室型劑量?jī)x在每次測(cè)量前必需對(duì)氣溫和氣壓進(jìn)行修正。
半影為射野邊緣劑量隨離開中心軸距離增加而急劇變化的范圍。
低LET射線照射哺乳動(dòng)物細(xì)胞存活曲線在低劑量段有肩區(qū),提示()。