A.當一個粒子與其反粒子發(fā)生碰撞時,其質(zhì)量全部轉(zhuǎn)化為γ輻射能量
B.正,反粒子發(fā)生碰撞產(chǎn)生γ輻射也是一種核反應
C.正,負電子發(fā)生碰撞時,產(chǎn)生兩個能量為0.511MeVγ光子
D.正,負電子發(fā)生碰撞時,產(chǎn)生一個能量為1.022MeVγ光子
E.只有靜止能量的正,負電子在湮滅時,產(chǎn)生的兩個γ光子運動方向相反
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A.本質(zhì)上比釋動能就是給予介質(zhì)的吸收劑量
B.比釋動能只適用于間接致電離輻射,而吸收劑量適用于所有類型輻射
C.在電子平衡條件下可由比釋動能計算吸收劑量
D.X射線能量低時,產(chǎn)生的次級電子能量低射程短,介質(zhì)中某點的吸收劑量等于比釋動能
E.當韌致輻射的能量損失可以忽略時,比釋動能和吸收劑量數(shù)值上相等
A.碰撞比釋動能和輻射比釋動能
B.碰撞比釋動能和愛減比釋動能
C.輻射比釋動能和衰減比釋動能
D.衰減比釋動能和質(zhì)能吸收比釋動能
E.空氣比釋動能和生物材料比釋動能
A.15%
B.20%
C.25%
D.30%
E.35%
A.增加5%
B.增加10%
C.增加15%
D.增加20%
E.不改變
A.對注量產(chǎn)生擾動
B.室壁的空氣非等效性
C.中心電極的空氣非等效性
D.空腔中未達到電子平衡
E.空腔內(nèi)電離輻射的注量梯度變化
最新試題
質(zhì)量保證和質(zhì)量控制的簡稱分別為QA、QC。
隨能量增大,光電效應發(fā)生的概率迅速減小。
檢查燈光野與射野的一致性通常用膠片法。
質(zhì)子束的優(yōu)勢在于布拉格峰形百分深度劑量分布。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時,應采用雙平面插植。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動能率相等。
兩種不同深度處的百分深度劑量比值稱為射線質(zhì)指數(shù)或能量指數(shù)。
對重離子,線性碰撞本領是選擇組織替代材料的首要條件。
電離室型劑量儀在每次測量前必需對氣溫和氣壓進行修正。
射線能量越高,百分深度劑量隨射野面積的改變越小。