單項(xiàng)選擇題現(xiàn)代近距離照射中，模擬線源時(shí)假設(shè)駐留位為N，相鄰駐留位之間的距離為S，則距離源（）之內(nèi)，模擬源的劑量分布為波浪形，且離放射源距離越近越明顯。

A.N/2
B.S/2
C.NS
D.N/S
E.S/N


您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題

2.單項(xiàng)選擇題近距離照射中，距離源1cm和3cm之間的劑量變化為（）

A.1倍
B.3倍
C.6倍
D.9倍
E.16倍

3.單項(xiàng)選擇題關(guān)于高能電子束的百分深度劑量，描述錯誤的是（）

A.劑量建成區(qū)
B.低劑量坪區(qū)
C.高劑量坪區(qū)
D.劑量跌落區(qū)
E.X射線污染區(qū)

4.單項(xiàng)選擇題電子束旋轉(zhuǎn)治療時(shí)的β角，射野寬W和曲率半徑r的關(guān)系是（）

A.W=2rSin（β/2）/[1-（f/r）Cos（β/2）]
B.W=2rSin（β/2）/[1-（r/F.Cos（β/2）]
C.W=2rSin（f/2）/[1-（r/F.Cos（β/2）]
D.W=2rSin（β/2）/[1-（r/F.Cos（f/2）]
E.W=2rCos（β/2）/[1-（r/F.Sin（β/2）]