A.μ•HVL=0.693
B.μ/HVL=0.693
C.μ•HVL=0.963
D.μ/HVL=0.963
E.無固定關(guān)系
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A.X(γ)射線與物質(zhì)相互作用中,單位長度的能量損失份額
B.帶電粒子與物質(zhì)相互作用中,單位長度的能量損失份額
C.X(γ)射線與物質(zhì)相互作用中,單位長度的相互作用幾率
D.帶電粒子與物質(zhì)相互作用中,單位質(zhì)量厚度的能量損失份額
E.X(γ)射線與物質(zhì)相互作用中,單位質(zhì)量厚度的相互作用幾率
A.“M”型
B.“N”型
C.“L”型
D.“P”型
E.“F”型
A.0.3r
B.0.4r
C.0.5r
D.0.75r
E.幾何中心
A.傳能線密度
B.線性碰撞阻止
C.質(zhì)量碰撞阻止
D.線性衰減系數(shù)
E.質(zhì)量衰減系數(shù)
A.入射帶電粒子與核外電子之間的庫侖力相互作用,使軌道電子獲得足夠的能量而引起原子電離
B.軌道電子獲得的能量不足以引起電離時,則會引起原子激發(fā)
C.處于激發(fā)態(tài)的原子在退激時,會放出γ射線
D.處于激發(fā)態(tài)的原子在退激時,釋放出特征X射線或俄歇電子
E.被電離出來的軌道電子具有足夠的能量可進一步引起物質(zhì)電離,此稱為次級電離
最新試題
人體曲面校正的組織空氣比法或組織最大劑量比方法的修正因子CF的表達式是()。
隨能量增大,光電效應發(fā)生的概率迅速減小。
目前靶區(qū)劑量的精確性規(guī)定應達到()。
影響靶點位置精確度的因素包括機械精度,定位精度和擺位精度。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動能率相等。
半影為射野邊緣劑量隨離開中心軸距離增加而急劇變化的范圍。
關(guān)于組織補償?shù)拿枋?,錯誤的是()。
帶電粒子入射到物體時,沒有確定的射程。
質(zhì)量保證和質(zhì)量控制的簡稱分別為QA、QC。
質(zhì)子束的優(yōu)勢在于布拉格峰形百分深度劑量分布。