源皮距越小，百分深度劑量越大。

半影為射野邊緣劑量隨離開中心軸距離增加而急劇變化的范圍。

巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。

質(zhì)子束的優(yōu)勢(shì)在于布拉格峰形百分深度劑量分布。

“4R”描述的是影響腫瘤和正常組織的輻射生物效應(yīng)因素。

電離室型劑量?jī)x在每次測(cè)量前必需對(duì)氣溫和氣壓進(jìn)行修正。

電磁掃描調(diào)強(qiáng)不僅具有X 射線光子的利用率高、治療時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn)，而且可實(shí)現(xiàn)電子束、質(zhì)子束的調(diào)強(qiáng)治療。

實(shí)際患者治療時(shí)，無環(huán)重定位技術(shù)的靶點(diǎn)位置總的治療精度稍劣于有環(huán)技術(shù)。

隨能量增大，光電效應(yīng)發(fā)生的概率迅速減小。

帶電粒子與物質(zhì)的一次相互作用可以損失其能量的全部或很大一部分。