A.輸入電壓相位相反
B.輸入電阻很高
C.輸出電阻很低
D.具有一定電流放大作用
E.具有一定功率放大作用
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A.發(fā)射電壓幅度
B.發(fā)射脈沖頻率
C.脈沖持續(xù)時間
D.數(shù)字采樣誤差
E.脈沖上升時間
A.軌頭上角
B.軌顎部位
C.軌底上部區(qū)域
D.軌腰
E.軌端
A.缺陷的大小
B.缺陷性質(zhì)
C.缺陷的形狀
D.缺陷的表面狀態(tài)
E.缺陷的位置
A.預熱溫度不夠
B.冷熱分布不均
C.軌面不潔
D.焊縫間隙過大
E.焊縫間隙不一
A.頂端過焊
B.端面不潔
C.加熱器火焰不正
D.頂鍛量過小
E.間隙過大
最新試題
儀器時基線比例一般在試塊上調(diào)節(jié),當工件與試塊的聲速不同時,儀器的時基線比例發(fā)生變化,影響缺陷定位精度。
動態(tài)范圍的最小信號可能受到放大器的飽合或系統(tǒng)噪聲的限制。
分辯率可使用通用探傷儀進行測量,測試時儀器抑制置“零”或“開”位,必要時可加匹配線圈。
高溫探頭的外殼與阻尼塊為不銹鋼,電纜為無機物絕緣體高溫同軸電纜。
水浸聚焦探頭是由外殼、阻尼塊、晶片、聲透鏡等組成。
水浸式探頭主要特點是探頭與工件直接接觸,且探頭部分或全部門浸入耦合液中。
在檢測晶粒粗大和大型工件時,應測定材料的衰減系數(shù),計算時應考慮介質(zhì)衰減的影響。
由于超聲波對進入面的表面粗糙度、入射超聲束的方向等有一定的要求,必要時應通過增添專門的工序,采用經(jīng)批準的加工方法準備超聲波進入面。
儀器時基線調(diào)節(jié)比例時,若回波前沿沒有對準相應垂直刻度或讀數(shù)不準,會使缺陷定位誤差增加。
根據(jù)球形反射體返回晶片聲壓的計算公式與圓柱形平面反射體的表達式進行比較可知,在反射體直徑相同的情況下,圓形反射體的反射聲壓比球形反射體的反射壓小。