A.A16～A15
B.A0～A9
C.A0~A11
D.A4~A15
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A.工作中存儲內(nèi)容會產(chǎn)生變化
B.工作中需要動態(tài)地改變訪存地址
C.每次讀出后，需根據(jù)原存內(nèi)容重寫一次
D.每隔一定時(shí)間，需要根據(jù)原存內(nèi)容重寫一遍
A.相鄰位單元交界處必須變換磁化電流方向
B.相鄰位單元交界處，電流方向不變
C.當(dāng)相鄰兩位數(shù)值相同時(shí)，交界處變換電流方向
D.當(dāng)相鄰兩位數(shù)值不同時(shí)，交界處變換電流方向
A.采用奇偶校驗(yàn)
B.采用海明校驗(yàn)
C.采用循環(huán)碼校驗(yàn)
D.需同時(shí)采用兩種校驗(yàn)
A.主存
B.磁盤
C.固存（或光盤）
D.高速緩存
A.采用直接程序傳送方式（查詢等待方式）
B.只采用中斷方式
C.只采用DMA方式
D.既有DMA方式也有中斷方式
最新試題
動態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極（）來存儲信息的。
刷新控制電路的主要任務(wù)是解決刷新和（）之間的矛盾。
軟件堆棧在工作中（）移動。
計(jì)算機(jī)的I/O接口是（）之間的交接界面。
從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.階碼B.尾數(shù)C.階碼和尾數(shù)D.浮點(diǎn)數(shù)E.移碼數(shù)F.規(guī)格化操作G.隱藏位技術(shù)（1）對于同一個(gè)數(shù)值，它的（）與補(bǔ)碼數(shù)的數(shù)值位相同，符號位相反。（2）浮點(diǎn)數(shù)用（）表示數(shù)據(jù)。（3）小數(shù)點(diǎn)的位置可以在數(shù)據(jù)位移動的數(shù)據(jù)稱為（）。（4）浮點(diǎn)數(shù)的溢出，是由其（）是否溢出表現(xiàn)出來的。（5）在實(shí)用中把浮點(diǎn)數(shù)的尾數(shù)左移一位，將最高位的1移走，從而提高數(shù)值的精度，這項(xiàng)處理稱之為（）。
使用硬件堆棧時(shí)，其中（）移動。
寫出X=10111101的補(bǔ)碼表示，正確結(jié)果為（）。
計(jì)算機(jī)中機(jī)器訪問的最小單位被稱為（）。
柵極電平只能維持一段時(shí)間，若要維持所保存的信息，需要對C1、C2電容充電，此過程被稱為“刷新（refresh）”。刷新過程也就是讀出過程，但只為完成充電而并不需要讀出信息，定期執(zhí)行一次（）。
存儲在能永久保存信息的器件中的程序被稱為（）。