單項(xiàng)選擇題關(guān)于三極管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，以下說法不正確的為（）

A.基區(qū)很薄
B.基區(qū)摻雜濃度最高
C.發(fā)射區(qū)摻雜濃度最高
D.發(fā)射結(jié)的結(jié)面積小于集電結(jié)的結(jié)面積


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2.單項(xiàng)選擇題在本征半導(dǎo)體中加入少量的五價(jià)元素后，可形成（）

A.P型半導(dǎo)體，其少子為自由電子
B.N型半導(dǎo)體，其多子為自由電子
C.P型半導(dǎo)體，其少子為空穴
D.N型半導(dǎo)體，其多子為空穴

3.單項(xiàng)選擇題理想運(yùn)算放大器的兩個(gè)基本特點(diǎn)是（）

A.虛地與虛斷
B.虛短與虛地
C.虛短與虛斷
D.斷路與短路

4.單項(xiàng)選擇題下列關(guān)于P型半導(dǎo)體中載流子的描述，正確的是（）

A.僅自由電子是載流子
B.僅空穴是載流子
C.自由電子和空穴都是載流子
D.三價(jià)雜質(zhì)離子也是載流子

5.單項(xiàng)選擇題要得到N型雜質(zhì)半導(dǎo)體，應(yīng)在本征半導(dǎo)體硅或鍺中摻入少量的（）

A.三價(jià)元素
B.四價(jià)元素
C.五價(jià)元素
D.六價(jià)元素