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填空題對于外徑小于或等于76mm的管子，其焊縫采用雙壁雙投影法透照時，允許一次透照并應(yīng)選擇較高管電壓，曝光量宜控制在（）mA·min以內(nèi)，管子內(nèi)壁輪廓應(yīng)清晰的顯現(xiàn)在底片上。

1.填空題DL/T821-2002標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，當(dāng)透照呈排狀的管子并使數(shù)個管子焊縫透照在同一張底片上時，象質(zhì)計應(yīng)放在最（）側(cè)的管子上。

2.填空題當(dāng)象質(zhì)計放在膠片側(cè)工件表面時，應(yīng)附加（）標(biāo)記以示區(qū)別。

3.填空題DL/T821-2002標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，底片上應(yīng)清晰地顯示出象質(zhì)計、深度對比塊、（）和識別標(biāo)記。

4.填空題Se75放射源的半衰期為（）

5.填空題χ或γ射線檢驗時，檢驗人員必須根據(jù)射線強度劃出（）和監(jiān)督區(qū)，在警戒區(qū)邊界上拉好警戒繩并懸掛“當(dāng)心電離輻射”等字樣的警示標(biāo)識，當(dāng)確認作業(yè)區(qū)內(nèi)無其他人員后方可工作。