CGS、CGD都增大了;柵極增長,管子尺寸變大,集成度降低。
制造源、漏極與制造柵極采用兩次掩膜步驟,不容易對齊
PMOS、NMOS、COMS、BiCMOS 溝道載流子特性、柵極材料、金屬層數(shù)、特征尺寸工藝可以實現(xiàn)的平面結(jié)構(gòu)的最小尺寸