WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點(diǎn)是IC到PCB之間的電感很大。

關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì)，說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。

凸點(diǎn)的制作技術(shù)有（）。

使用3D封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)40～50倍的成品尺寸和重量的減少。

制造和封裝工藝過(guò)程中的材料性能是決定材料應(yīng)用的關(guān)鍵，制造性能主要包括（）。

下面關(guān)于BGA的特點(diǎn)，說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。

為了獲得好的性能，塑封料的電學(xué)性必須得到控制。

通常芯片上的引出端焊盤(pán)是排列在管芯片附近的方形（）。

按照芯片組裝方式的不同，關(guān)于SiP的分類(lèi)，說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。

下面選項(xiàng)中硅片減薄技術(shù)正確的是（）。