A.用一種K 值探頭采用直射波法在焊接接頭的雙面雙側(cè)進(jìn)行檢測(cè)
B.可在焊接接頭的雙面單側(cè)或單面雙值用兩種K 值探頭進(jìn)行檢測(cè)
C.用一種K 值探頭采用直射波在焊接接頭的雙面單側(cè)或單面雙側(cè)進(jìn)行檢測(cè)
D.可用兩種K 值探頭，在焊接接頭的雙面單側(cè)或反射波進(jìn)行檢測(cè)
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A.在熒光屏滿刻度80%以下范圍內(nèi)，垂直線性符合儀器標(biāo)準(zhǔn)要求
B.在熒光屏滿刻度80%以下范圍內(nèi)，水平線性符合儀器標(biāo)準(zhǔn)要求
C.探傷儀利用試塊產(chǎn)生幅度比為2：1兩個(gè)互不干擾信號(hào)，改變?cè)鲆?，使其兩回波比值的誤差在5%范圍內(nèi)，由此得到的垂直極限范圍應(yīng)不少于熒光屏滿刻度的80%
D.探傷儀利用試塊產(chǎn)生幅度比為2：1兩個(gè)互不干擾信號(hào)，改變?cè)鲆?，使兩回波從熒光屏滿刻度80%降至回波高度為滿刻度5%范圍內(nèi)的垂直線性符合標(biāo)準(zhǔn)要求
A.對(duì)缺陷清除后的表面和補(bǔ)焊后表面進(jìn)行表面檢測(cè)
B.對(duì)補(bǔ)焊焊肉內(nèi)部采用直探頭或雙晶直探頭，按焊縫要求檢測(cè)
C.對(duì)補(bǔ)焊焊肉內(nèi)部采用直探頭或雙晶直探頭，按鍛件要求檢測(cè)
D.對(duì)有熱處理要求的鍛件，則檢測(cè)應(yīng)在補(bǔ)焊后重新熱處理后進(jìn)行
A.低碳鋼
B.低合金高強(qiáng)度鋼
C.奧氏體不銹鋼
D.以上均不可以
A.15MnVR
B.18MnMoNbR
C.13MnNiMoNbR
D.07MnCrMoVR
A.12CrMo
B.15CrMo
C.14Cr1Mo
D.2.25Cr1Mo
最新試題
根據(jù)JB/T4730.3-2005《承壓設(shè)備無(wú)損檢測(cè)》標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，對(duì)鋁及鋁合金承壓設(shè)備管子和壓力管道環(huán)向?qū)雍附咏宇^檢測(cè)，下列敘述正確的是（）。
聚焦探頭的焦點(diǎn)是一個(gè)聚焦區(qū)，焦柱長(zhǎng)度與焦柱直徑之比為常數(shù)，等于焦距與聲源直徑之比的4倍。
斜探頭作圓周方向探測(cè)時(shí)，為了實(shí)現(xiàn)良好的聲耦合，常將探頭修磨成與圓周曲率半徑相同的曲面，經(jīng)修磨后，斜探頭的K 值將變大。
直探頭探測(cè)鋼工件時(shí)，當(dāng)工件中聲程等于二分之一近場(chǎng)長(zhǎng)度時(shí)，由于聲束軸線聲壓為零，此處的缺陷將探測(cè)不到。
對(duì)奧氏體不銹鋼焊縫探傷，常用單晶縱波斜探頭探測(cè)深度較大的缺陷，用雙晶縱波斜探頭探測(cè)深度較淺的缺陷。
如何利用壓電材料來(lái)選擇晶片？
復(fù)合鋼板超聲波檢測(cè)可從復(fù)層一側(cè)或從基板一側(cè)進(jìn)行檢測(cè)，選擇檢測(cè)面的依據(jù)為（）。
當(dāng)缺陷聲程X=N/2（N 為探頭晶片近場(chǎng)長(zhǎng)度）時(shí)，由于此時(shí)主聲束處聲壓為零，故無(wú)法檢測(cè)。
用有機(jī)玻璃制作水浸聚焦探頭進(jìn)行水浸探傷時(shí)，當(dāng)溫度升高時(shí)，焦距變大。
利用聲透鏡制作的聚焦探頭，要求聲透鏡中聲速大于透聲楔塊中聲速。