A、5MEVN≤E<10MEV1.0Cm
B、MEVN≤E<10MEV1.5Cm
C、10MEVN≤E<20MEV2.0Cm
D、20MEVN≤E<50MEV3.0Cm
E、最大吸收劑量所在參數(shù)
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A、量熱法
B、電離室法
C、膠片法
D、半導(dǎo)體探測(cè)器
E、熱釋光劑量法
A、1Bq=2.709×10-11Ci
B、1Bq=1.709×10-11Ci
C、1Bq=2.709×10-10Ci
D、1Bq=1.709×10-12Ci
E、1Bq=2.709×10-12Ci
A、測(cè)定的半價(jià)層必須是直接用于治療的射線
B、不加吸收片測(cè)量強(qiáng)度時(shí)和加吸收片測(cè)量半價(jià)時(shí)的條件應(yīng)保持相同
C、吸收板的位置要靠經(jīng)電離室
D、電離室周?chē)粦?yīng)有產(chǎn)生散射的物質(zhì)
E、射野面積應(yīng)盡量減小,以能包括電離室的靈敏體積為限
A、貫穿物質(zhì)的能力
B、射線的強(qiáng)度
C、射線的硬度
D、能量
E、半價(jià)層
A、5Cm
B、6Cm
C、8Cm
D、9Cm
E、10Cm
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