問答題
已知某DRAM芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)為128×128,存取周期為1us。試分析:
(1)若采用集中式刷新方式,刷新時間間隔為1ms,則讀寫時間和刷新時間分為多少個周期?死區(qū)占多少時間?
(2)若采用分散式刷新方式,則相鄰兩行之間的刷新間隔是多少?