A.水平位置
B.定量
C.深度
D.大小
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A.晶片尺寸
B.前沿長(zhǎng)度
C.厚度
D.耦合狀態(tài)
A.增加
B.減少
C.不變
D.不確定
A.定性準(zhǔn)確度
B.深度
C.水平
D.定位
A.定性準(zhǔn)確度
B.定位精度
C.深度
D.水平
A.定性
B.定位
C.形狀的確定
D.取向的確定
最新試題
由于圓柱形工件有一定的曲率,直探頭與工件直接接觸時(shí),接觸面為一條很寬的條形區(qū)域,從在而在圓柱的橫截面內(nèi)會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)烈的聲束擴(kuò)散。
高溫探頭的外殼與阻尼塊為不銹鋼,電纜為無(wú)機(jī)物絕緣體高溫同軸電纜。
無(wú)論聲波相對(duì)于缺陷是垂直入射還是斜入射,缺陷大小不同其反射波的指向性有相當(dāng)大的差異。
衍射時(shí)差法對(duì)缺陷檢出率高,超聲波束覆蓋區(qū)域大,缺陷高度測(cè)量精確,實(shí)時(shí)成像,快速分析。
對(duì)于比正??v波底面回波滯后的變形波稱為遲到回波。
缺陷垂直時(shí),擴(kuò)散波束入射至缺陷時(shí)回波較高,而定位時(shí)就會(huì)誤認(rèn)為缺陷在軸線上,從而導(dǎo)致定位不準(zhǔn)。
高溫探頭前面殼體與晶片之間采用特殊釬焊,使之形成高溫耦合層。
橫波檢測(cè)平板對(duì)接焊縫根部未焊透等缺陷時(shí),不同K值探頭檢測(cè)同一根部缺陷,其回波高相差不大。
儀器時(shí)基線調(diào)節(jié)比例時(shí),若回波前沿沒(méi)有對(duì)準(zhǔn)相應(yīng)垂直刻度或讀數(shù)不準(zhǔn),會(huì)使缺陷定位誤差增加。
缺陷相對(duì)反射率即缺陷反射聲壓與基準(zhǔn)反射體聲壓之比。