單項選擇題影響幾何不清晰度的因素有（）。
A.焦距
B.焦點尺寸
C.缺陷距膠片距離
D.以上都是
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1.單項選擇題曝光曲線表示（）之間的關系曲線。
A.射線強度，曝光量，膠片特性
B.曝光量，膠片特性，暗室處理
C.膠片特性，暗室處理，工件厚度
D.工件厚度，曝光量，射線能量
2.單項選擇題底片出現(xiàn)夾珠的影象表現(xiàn)為（）。
A.一個黑點
B.一個白點
C.一個黑色孔中夾一白色圓珠
D.一個白色孔中夾一黑色圓珠
3.單項選擇題已知焦距1m時，曝光時間為60min，若把曝光時間減至30min時，所需焦距為（）。
A.0.5m
B.1m
C.0.7m
D.0.2m
4.單項選擇題可減少散射線的影響，其原因是（）。
A.收一次射線束中波長較短的成分
B.收一次射線束中波長較長的部分
C.吸收背散射線
D.降低射線束強度
5.單項選擇題DL/T5069-96規(guī)定，底片上必須顯示出與象質(zhì)指數(shù)對應的最小鋼絲線徑。I型應顯示（）。
A.一根
B.兩根
C.三根
D.三根及三根以上
最新試題
阻抗圖中，實線曲線是什么值不同的曲線（）。
題型：單項選擇題
以通有交流電的圓筒型線圈中放有長導電圓柱體試件為例，簡述福斯特模型的基本內(nèi)容。說明什么叫做有效磁導率？并寫出其數(shù)學表達式。
題型：問答題
交流電流在試驗物體中產(chǎn)生渦流。矢量Hs代表試件中的二次交變磁場，只有具有哪種作用渦流檢驗才有意義（）。
題型：單項選擇題
新置的Ir192γ射線源，其活度為40Ci，現(xiàn)今時隔300天，已知，Ir192γ射線源的半衰期為75天。求該源現(xiàn)在的活度？該源新置時，對某工件進行射線照相的曝光時間為4min，若所有條件不變，現(xiàn)今應曝光多少分鐘？
題型：問答題
下面哪種因素會改變趨膚效應（）。
題型：單項選擇題
試驗線圈激勵電流應保持恒定，這樣用渦流系統(tǒng)得到的試件信息（）。
題型：單項選擇題
渦流的相似定律是什么？在渦流檢測中有何作用？
題型：問答題
當激勵電壓加于一次繞組時，只有磁通量是同相的，且二次磁通量較小。當試驗物體插入該線圈時，將發(fā)生什么情況（）。
題型：單項選擇題
渦流試驗時，試樣中的電磁場是由（）表示的。
題型：單項選擇題
寫出VC-S滲透探傷的工藝流程。
題型：問答題