名詞解釋保形覆蓋
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.名詞解釋PECVD(等離子增強(qiáng)CVD)
2.名詞解釋LPCVD(低壓CVD)
3.名詞解釋APCVD(常壓CVD)
4.名詞解釋化學(xué)氣相淀積
5.名詞解釋濺射
最新試題
根據(jù)圖,給出M2管的漏極電流表達(dá)式。
題型:?jiǎn)柎痤}
版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么?
題型:?jiǎn)柎痤}
把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊,轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程,稱作()。生長后的單晶硅被稱為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
晶體管的名字取自于()和()兩詞。
題型:多項(xiàng)選擇題
試述兩種傳輸線電感,比較其優(yōu)缺點(diǎn)。
題型:?jiǎn)柎痤}
由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品,又被稱為()。
題型:多項(xiàng)選擇題
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管,已知Cox=5×10-4pF/μm2,估算柵極電容。
題型:?jiǎn)柎痤}
在圖中,若所有的晶體管都工作在飽和區(qū),求M4的漏電流。
題型:?jiǎn)柎痤}
什么是MOS器件的體效應(yīng)?
題型:?jiǎn)柎痤}
目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些?
題型:?jiǎn)柎痤}