單片法測(cè)量無(wú)取向電工鋼，試樣基準(zhǔn)方向與軋制方向的夾角允許有下述公差：取向硅鋼片為（）。

當(dāng)板厚在2

先用一種大于彎心直徑的壓頭直接進(jìn)行壓彎，然后再墊上與彎心直徑大小相同的墊板壓至試樣兩面平行的方法稱（）。

時(shí)效沖擊試驗(yàn)用于測(cè)定金屬（）時(shí)效沖擊吸收功。

對(duì)溫度有較高要求的冷彎試驗(yàn)，應(yīng)控制在（）℃之內(nèi)。

沖擊試樣的缺口方向是指（）。

測(cè)量脫碳層時(shí)，對(duì)于直徑大于25mm的圓鋼，或邊長(zhǎng)大于（）的方鋼，可截取試樣同一截面的幾個(gè)部分，但一定要取有代表性的部分。

當(dāng)鐵的含硅量大于（）時(shí)，在固態(tài)溫度范圍內(nèi)不再發(fā)生鐵的α-γ相變，即硅鋼為單一的α-相固溶體。

奧氏體晶粒度的腐蝕可用（）的鹽酸酒精。

鋼中帶狀物用顯微鏡在（）倍下對(duì)照評(píng)級(jí)圖進(jìn)行評(píng)定。