光電池的頻率特性不高，因?yàn)樗墓饷裘孑^大。

當(dāng)入射光照射到一維PSD光敏層時(shí)，從兩個(gè)電極輸出的電流大小分別與光點(diǎn)到各電極的距離成正比。

光纖型Mach-Zehnder干涉主要基于光纖干涉中光程差的變化測(cè)量，而光程差的變化，最終會(huì)引起相位差的變化，因此，光纖型Mach-Zehnder干涉也可以說是相位調(diào)制。當(dāng)真空中波長(zhǎng)為λ的光經(jīng)過光纖時(shí)，被調(diào)制光纖的長(zhǎng)度為L(zhǎng)，光纖纖芯的折射率為n，則光經(jīng)過光纖后，對(duì)應(yīng)的相位變化可以表示為（）。

負(fù)載電阻越小，光電池的光電流和照度的線性度越好。

圖中所示是一個(gè)黑體輻射的測(cè)量原理圖，從光譜系統(tǒng)組成的角度來看，圖中光學(xué)元件D的作用是（）。