單項(xiàng)選擇題方法不能獲得過(guò)飽和點(diǎn)缺陷（）。
A.高溫淬火
B.冷變形
C.輻照
D.退火
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1.單項(xiàng)選擇題實(shí)際晶體強(qiáng)度遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于理論強(qiáng)度的原因，是由于實(shí)際晶體中存在大量的（）
A.晶界
B.亞晶界
C.空位
D.位錯(cuò)
2.問(wèn)答題晶體的缺陷有哪些？以及各種缺陷對(duì)晶體性能的影響？
