單項(xiàng)選擇題若寄存器AX，BX，CX，DX的內(nèi)容分別為11，12，13，14時(shí)，依次執(zhí)行PUSHAX，PUSHBX，POPCX，POPDX，PUSHCX，PUSHDX，POPAX，POPBX后，則寄存器AX和BX的內(nèi)容分別為（）
A、11，12
B、12，13
C、13，14
D、11，14
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1.單項(xiàng)選擇題若512K位（bit）SRAM芯片具有4條數(shù)據(jù)線，則它具有的地址線條數(shù)為（）
A、15
B、16
C、17
D、18
2.單項(xiàng)選擇題對(duì)8259A進(jìn)行初始化時(shí)，必須設(shè)置的兩個(gè)初始化命令字為（）
A、ICW1，ICW2
B、ICW1，ICW3
C、ICW1，ICW4
D、ICW2，ICW4
3.單項(xiàng)選擇題現(xiàn)行數(shù)據(jù)段位于存儲(chǔ)器B0000H～B0FFEH字節(jié)單元，則段寄存器DS的內(nèi)容及該段長(zhǎng)度（字節(jié)數(shù)）分別為（）
A、B000H，B0FFH
B、0000H，0FFFH
C、B000H，0FFFH
D、B000H，00FFH
4.單項(xiàng)選擇題設(shè)（AX）＝1000H，（BX）＝2000H，則在執(zhí)行了指令“SUBAX，BX”后，標(biāo)志位CF和ZF的值分別為（）
A、0，0
B、0，1
C、1，0
D、1，1
5.單項(xiàng)選擇題設(shè)（AX）＝ABDFH，則在執(zhí)行指令“ANDAX，0001H”后，AX寄存器的內(nèi)容為（）
A、ABDEH
B、FFFFH
C、0001H
D、0000H
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充電電池的充電過(guò)程經(jīng)歷了哪幾個(gè)階段？（）
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