單項(xiàng)選擇題如在開(kāi)關(guān)場(chǎng)互感器二次線圈中性點(diǎn)裝附加對(duì)地保護(hù),可考慮選擊穿電壓()V的氧化鋅閥片。

A、500~100
B、1000~1500
C、1500~2000
D、2000~2500


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2.單項(xiàng)選擇題對(duì)于集成電路型保護(hù)及微機(jī)型保護(hù)而言：

A、弱信號(hào)線不得和強(qiáng)干擾（如中間繼電器線圈回路）的導(dǎo)線相鄰近
B、因保護(hù)中已采取了抗干擾措施，弱信號(hào)線可以和強(qiáng)干擾的導(dǎo)線相鄰近
C、在弱信號(hào)線回路并接抗干擾電容后，弱信號(hào)線可以和強(qiáng)干擾的導(dǎo)線相鄰近

3.單項(xiàng)選擇題來(lái)自電壓互感器二次側(cè)的4根開(kāi)關(guān)場(chǎng)引入線（UA,UB,UC,UN)和電壓互感器三次側(cè)的2根開(kāi)關(guān)場(chǎng)引入線（開(kāi)口三角UL,UN）中的兩個(gè)電纜芯UN()。

A、在開(kāi)關(guān)場(chǎng)并接后，合成一根引自控制室接地
B、必須分別引至控制室，并在控制室接地
C、三次側(cè)UN在開(kāi)關(guān)場(chǎng)接地后引入控制室N600，二次側(cè)的UN單獨(dú)引入控制室N600并接地

4.單項(xiàng)選擇題電流互感器及電壓互感器的一,二次線圈都設(shè)置了屏蔽以降低線圈間的（）

A、電容耦合
B、傳導(dǎo)耦合
C、雜散耦合