單項選擇題下列哪個因素不能影響晶體成長速率（）
A.溫度
B.壓力
C.晶體大小
D.雜質
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1.單項選擇題由外來雜質誘導成核過程稱（）
A.初級成核
B.次級成核
C.均相成核
D.非均相成核
2.單項選擇題在（）可以通過外因引起成核過程
A.不穩(wěn)區(qū)
B.穩(wěn)定區(qū)
C.介穩(wěn)區(qū)
D.過飽和區(qū)
3.單項選擇題下列哪個不是過飽和度的表示法（）
A.濃度差
B.過飽和度比
C.相對過飽和度
D.溶解度差
4.單項選擇題過飽和溶液與飽和溶液間的濃度差稱（）
A.飽和度
B.過飽和度
C.溶解度
D.溶解度差
5.單項選擇題微觀粒子的規(guī)則排列可以按不同方向發(fā)展，即各晶面以不同的速率生長，從而形成不同外形的晶體，這種習性以及最終形成的晶體外形稱為（）
A.晶習
B.晶系
C.晶界
D.晶胞
最新試題
采用逆流加熱的蒸發(fā)器，溶液的濃度越來越大，溫度越來越（）
題型：單項選擇題
接觸成核屬于（）
題型：單項選擇題
在蒸發(fā)操作中，如果把三效改為四效，則加熱蒸汽的使用量（）
題型：單項選擇題
設備費用隨蒸發(fā)器效數(shù)的增加而（）
題型：單項選擇題
下列減壓蒸發(fā)的優(yōu)點之一是（）
題型：單項選擇題
對于溶解度隨溫度變化緩慢的物質，可用（）結晶的方法分離
題型：單項選擇題
由外來雜質誘導成核過程稱（）
題型：單項選擇題
蒸發(fā)操作的目的是（）
題型：單項選擇題
常壓蒸發(fā)時，二次蒸汽（）
題型：單項選擇題
在間歇結晶操作中，（）操作方法能夠產(chǎn)生預定粒度的、合乎質量要求的晶體
題型：單項選擇題