A.90ns
B.80ns
C.70ns
D.60ns
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A.算術(shù)運(yùn)算結(jié)果
B.邏輯運(yùn)算結(jié)果
C.運(yùn)算類型
D.算術(shù)、邏輯運(yùn)算及測(cè)試指令的結(jié)果狀態(tài)
A.存儲(chǔ)器的容量
B.指令字長(zhǎng)
C.機(jī)器字長(zhǎng)
D.CPU管腳數(shù)
A.存儲(chǔ)器的容量
B.指令字長(zhǎng)
C.機(jī)器字長(zhǎng)
D.CPU管腳數(shù)
A.程序計(jì)數(shù)器（PC）
B.數(shù)據(jù)寄存器（MDR）
C.指令寄存器（IR）
D.地址寄存器（MAR）
A.運(yùn)算器
B.控制器
C.存儲(chǔ)器
D.I/O設(shè)備
最新試題
柵極電平只能維持一段時(shí)間，若要維持所保存的信息，需要對(duì)C1、C2電容充電，此過(guò)程被稱為“刷新（refresh）”。刷新過(guò)程也就是讀出過(guò)程，但只為完成充電而并不需要讀出信息，定期執(zhí)行一次（）。
動(dòng)態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極（）來(lái)存儲(chǔ)信息的。
（）又稱字選法，所對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)器是字結(jié)構(gòu)的。
計(jì)算機(jī)中機(jī)器訪問(wèn)的最小單位被稱為（）。
在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)層次結(jié)構(gòu)中，以下哪種存儲(chǔ)器技術(shù)能同時(shí)具備高速訪問(wèn)、低功耗和大容量？（）
計(jì)算機(jī)采用總線結(jié)構(gòu)的好處是（）。
存儲(chǔ)器堆棧需要設(shè)置一個(gè)專門的硬件寄存器，稱為（），而寄存器堆棧則沒(méi)有。
存儲(chǔ)在能永久保存信息的器件中的程序被稱為（）。
寫出X=10111101的補(bǔ)碼表示，正確結(jié)果為（）。
從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元，有利于提高（）。