兩個無限長的同軸圓柱半徑分別為r=a和r=b(b〉a),圓柱表面分別帶有密度為σ1和σ2的面電荷。
(1)計算各處的電位移D0;
(2)欲使r〉b區(qū)域內(nèi)D0=0,則σ1和σ2應(yīng)具有什么關(guān)系?
如題圖所示,在由無限大平面和突起的半球構(gòu)成的接地導體上方距離平面為d處有一個點電荷q0,利用鏡像法求導體以外的電位分布.
由導體平面和導體球面的鏡像法可知,為了滿足所有的邊界條件,需
一個半徑為α薄導體球殼內(nèi)表面涂覆了一薄層絕緣膜,球內(nèi)充滿總電荷量為Q為的體電荷,球殼上又另充有電荷量Q。已知球內(nèi)部的電場為E=er(r/α)4,設(shè)球內(nèi)介質(zhì)為真空。計算:
(1)球內(nèi)的電荷分布;
(2)球殼外表面的電荷面密度。