A.在其外部，即r＞R處的磁場與載同等電流的長直導(dǎo)線的磁場相同
B.r＞R處任一點的磁場強度大于載流長直導(dǎo)線在該點的磁場強度
C.r＞R處任一點的磁場強度小于載流長直導(dǎo)線在該點的磁場強度
D.在其內(nèi)部，即r＜R處的磁場強度與r成反比
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真空中有兩根互相平行的無限長直導(dǎo)線L1和L2，相距0.1m。通有方向相反的電流，I1＝20A，I2＝10A，a點位于L1L2之間的中點，且與兩導(dǎo)線在同一平面內(nèi)，如圖所示，則a點的磁感應(yīng)強度為（）。
A.0
B.（100/π）μ0T
C.（200/π）μ0T
D.（300/π）μ0T
用一根硬導(dǎo)線彎成半徑為R的半圓形，將其置于磁感應(yīng)強度為B的均勻磁場中，以頻率f旋轉(zhuǎn)，如圖所示，這個導(dǎo)體回路中產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢ε等于（）。
A.A
B.B
C.C
D.D
最新試題
圖示的晶體管均為硅管，測量的靜態(tài)電位如圖所示，處于放大狀態(tài)的晶體管是（）。
晶體管非門電路如圖所示，已知Ucc＝15V，UB＝－9V，Rc＝3kΩ，RB＝20kΩ，β＝40，當(dāng)輸入電壓U1＝5V時，要使晶體管飽和導(dǎo)通，Rx的值不得大于（）kΩ。（設(shè)UBE＝0.7V，集電極和發(fā)射極之間的飽和電壓Uces＝0.3V）
圖示電路具有（）。
如圖所示的二極管D1、D2所處的狀態(tài)是（）。
單相全波整流電路如圖所示，已知RL＝80Ω，U0＝110V，忽略整流二極管的正向壓降，每個二極管所承受的最高反向電壓UDRM為（）V。
如圖所示電路可進行減法運算，已知輸出電壓u0＝12V，則兩輸入信號電壓ui1與ui2之間的關(guān)系是（）。
由兩個主從型JK觸發(fā)器組成的邏輯電路如圖所示，設(shè)Q1、Q2的初始態(tài)是00。已知輸入信號A和脈沖信號cp的波形如圖所示，當(dāng)?shù)诙€cp脈沖作用時Q1Q2將變?yōu)椋ǎ?/p>
運算電路如圖所示，要使u0＝5ui，RF應(yīng)取（）kΩ。
如圖所示的電路為（）。
運算放大器應(yīng)用電路如圖所示，在運算放大器線性工作區(qū)，輸出電壓與輸入電壓之間的運算關(guān)系是（）。