單項(xiàng)選擇題選擇晶閘管的額定電壓時(shí)，應(yīng)該取晶閘管上可能出現(xiàn)的最高瞬時(shí)電壓的（）。

A、1倍至1.5倍
B、1.5倍至2倍
C、2倍至3倍
D、3倍至4倍


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1.單項(xiàng)選擇題一般通過改變（）來改變單結(jié)晶體管觸發(fā)電路的震蕩頻率。

A、Ｒe
B、C
C、L
D、U

3.單項(xiàng)選擇題增大單結(jié)晶體管振蕩器中充電回路時(shí)間常數(shù)，可改變輸出脈沖（）。

A、頻率
B、相位
C、幅度
D、頻率和幅度

4.單項(xiàng)選擇題單結(jié)晶體管截止條件是（）。

A、發(fā)射極電壓大于峰點(diǎn)電壓
B、發(fā)射極電壓小于峰點(diǎn)電壓
C、發(fā)射極電壓小于谷點(diǎn)電壓
D、發(fā)射極電壓大于谷點(diǎn)電壓

5.單項(xiàng)選擇題當(dāng)單結(jié)晶體管的發(fā)射極電壓UE升高到（）時(shí)，就會導(dǎo)通。

A、峰點(diǎn)電壓UP
B、谷點(diǎn)電壓UV
C、兩基極間電壓UBB