A.器件的狀態(tài)
B.電平的高低
C.脈沖的有無(wú)
D.數(shù)量的大小
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A.在時(shí)間和數(shù)值變化上都是離散的信號(hào)；
B.在時(shí)間和數(shù)值變化上都是連續(xù)的信號(hào)；
C.屬于二值信號(hào)，用高電平和電平來表示；
D.無(wú)規(guī)律變化信號(hào)。
A.小規(guī)模集成電路（SSI）
B.中規(guī)模集成電路（MSI）
C.大規(guī)模集成電路（LSI）
D.超大規(guī)模集成電路（VLSI）
A.接相應(yīng)的邏輯電平
B.與有用輸入端并接
C.懸空
D.接電源
A.TTL
B.ECL
C.HTL
D.I2L
A.高電平
B.低電平
C.高阻
D.失效
最新試題
TTL與非門輸出高電平的參數(shù)規(guī)范值是（）
一個(gè)VHDL模塊是否必須有一個(gè)實(shí)體和一個(gè)結(jié)構(gòu)體？是否可以有多個(gè)實(shí)體和結(jié)構(gòu)體？簡(jiǎn)述它們的作用。
若停電數(shù)分鐘后恢復(fù)供電，（）中的信息能夠保持不變。
小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為（）
用1M×4的DRAM芯片通過（）擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
如要將一個(gè)最大幅度為5.1V的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，要求輸入每變化20mV，輸出信號(hào)的最低位（LSB）發(fā)生變化，應(yīng)選用（）位ADC。
如果把D觸發(fā)器的輸出Q反饋連接到輸入D，則輸出Q的脈沖波形的頻率為CP脈沖頻率f的（）。
兩個(gè)與非門構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器，當(dāng)Q=1、Q=0時(shí)，兩個(gè)輸入信號(hào)R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會(huì)（）。
7系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
根據(jù)什么判斷簡(jiǎn)單電路中的險(xiǎn)象存在？