A.邏輯符號
B.功能表
C.真值表
D.狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖
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B.PMOS集成電路
C.NMOS集成電路
D.CMOS集成電路
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C.MOS晶體管
D.電阻
A.雙極性集成電路
B.TTL集成電路
C.CMOS集成電路
D.單極性集成電路
A.電阻
B.電容
C.二極管
D.三極管
A.輸入低電平時(shí),三極管工作在截止區(qū),輸出為高電平。
B.輸入高電平時(shí),三極管工作在飽和區(qū),輸出為低電平。
C.輸入低電平時(shí),三極管工作在截止區(qū),輸出為低電平。
D.輸入高電平時(shí),三極管工作在飽和區(qū),輸出為高電平。
最新試題
用原碼輸出的譯碼器實(shí)現(xiàn)多輸出邏輯函數(shù),需要增加若干個(gè)()。
27系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
TTL與非門輸出高電平的參數(shù)規(guī)范值是()
()在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用,其中一個(gè)重要用途是構(gòu)成數(shù)據(jù)總線。
具有“有1出0、全0出1”功能的邏輯門是()
小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為()
兩個(gè)與非門構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器,當(dāng)Q=1、Q=0時(shí),兩個(gè)輸入信號R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會(huì)()。
7系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
以下代碼中為無權(quán)碼的為()。