A、越高
B、不確定
C、越低
D、不變
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、位錯(cuò)
B、螺旋位錯(cuò)
C、肖特基缺陷
D、層錯(cuò)
A、分凝
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、損壞
A、單晶生長(zhǎng)→整形→切片→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測(cè)→打包
B、單晶生長(zhǎng)→切片→整形→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測(cè)→打包
C、單晶生長(zhǎng)→整形→切片→晶片研磨及磨邊→拋光→蝕刻→硅片檢測(cè)→打包
D、單晶生長(zhǎng)→整形→蝕刻→拋光→硅片檢測(cè)→切片→晶片研磨及磨邊→打包
A、3
B、5
C、4
D、2
A、1234
B、123
C、1456
D、4567
最新試題
下列是晶體的是()。
PN結(jié)的基本特性是()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱(chēng)()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。