多項(xiàng)選擇題使用功率MOSFET時(shí)要注意()。

A.防止靜電擊穿
B.防止二次擊穿
C.MOSFET不能承受反壓
D.柵源過電壓保護(hù)


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1.多項(xiàng)選擇題功率MOSFET對驅(qū)動(dòng)電路的要求是()。

A.驅(qū)動(dòng)信號的前后沿陡峭
B.驅(qū)動(dòng)信號的電壓應(yīng)高于開啟電壓
C.信號電壓應(yīng)低于柵源擊穿電壓
D.截止時(shí)應(yīng)加小于柵源擊穿電壓的電壓

2.多項(xiàng)選擇題LEM模塊是快速過電流保護(hù)的理想器件,具有()優(yōu)點(diǎn)。

A.直接測量原邊大電流,反應(yīng)快
B.可測量交流、直流和脈沖電流
C.與被測線路隔離
D.響應(yīng)速度快

3.多項(xiàng)選擇題功率晶體管的浪涌電壓吸收有()形式。

A.RC吸收電路
B.RCL吸收電路
C.充放電RCD吸收電路
D.放電阻斷RCD吸收電路

4.多項(xiàng)選擇題以下集成電路()是GTR的專用集成電路。

A.HL201A/HL202A
B.IR2110、IR2115、IR2130
C.EXB35N系列
D.FA5310、FA5311

5.多項(xiàng)選擇題大功率晶體管GTR過電流保護(hù)有()方式。

A.狀態(tài)識別保護(hù)法
B.RCD吸收保護(hù)法
C.LEM模塊保護(hù)法
D.橋臂互鎖保護(hù)法

最新試題

異步計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)脈沖加到了最低位觸發(fā)器,而其它各位觸發(fā)器都是,依靠相鄰低位觸發(fā)器輸出的進(jìn)位脈沖,采用逐級傳遞方式進(jìn)行觸發(fā)。

題型:判斷題

9個(gè)JK觸發(fā)器,通過電路設(shè)計(jì),可以接成()進(jìn)制以內(nèi)的,任意進(jìn)制的計(jì)數(shù)器。

題型:單項(xiàng)選擇題

6進(jìn)制異步清零,最后一個(gè)計(jì)數(shù)狀態(tài)應(yīng)該為()

題型:單項(xiàng)選擇題

反相比例運(yùn)算電路,平衡電阻的求法:令ui=0,則uo=0,此時(shí)反相端對地總電阻值,即為所求平衡電阻值。

題型:判斷題

二進(jìn)制計(jì)數(shù)器具有分頻的作用,分頻的規(guī)律表現(xiàn)為:3位二進(jìn)制計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)()分頻。

題型:單項(xiàng)選擇題

二極管外接正向電壓,P區(qū)應(yīng)接電源()

題型:單項(xiàng)選擇題

對理想運(yùn)放,當(dāng)運(yùn)放工作在線性區(qū)時(shí),其輸出電壓與兩個(gè)輸入端的電壓差呈非線性關(guān)系。

題型:判斷題

并聯(lián)型穩(wěn)壓電路中,硅穩(wěn)壓二極管應(yīng)和負(fù)載()

題型:單項(xiàng)選擇題

下面哪個(gè)集成元件為四位二進(jìn)制超前進(jìn)位全加器()

題型:單項(xiàng)選擇題

4位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器的,計(jì)數(shù)長度為()

題型:單項(xiàng)選擇題