單項(xiàng)選擇題刻蝕工藝會(huì)影響光伏池片電學(xué)參數(shù)中的()。

A.開(kāi)路電壓
B.并聯(lián)電阻
C.短路電流
D.串聯(lián)電阻


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1.單項(xiàng)選擇題下列方程式中屬于二氧化硅刻蝕工藝的是()。

A.4HF+Si=SiF4+2H2
B.CF4+SiO2——→SiF4+CO2
C.CF4+SiO2+O2——→SiF4+CO2
D.SiO2+4HF——→SiF4+2H2O

2.單項(xiàng)選擇題磷硅玻璃的主要組成是()和()。

A.P,Si
B.P2O5,Si
C.P2O5,O2
D.P,SiO2

3.單項(xiàng)選擇題目前在太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)中,最常用的儲(chǔ)能設(shè)備是()。

A.堿性蓄電池
B.鋰離子電池
C.鎳鉻電池
D.鉛酸蓄電池

4.單項(xiàng)選擇題當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時(shí),擴(kuò)散電流()漂移電流,耗盡層()。

A.大于,變寬
B.小于,變窄
C.大于,變窄
D.小于,變寬

5.單項(xiàng)選擇題在半導(dǎo)體中摻入五價(jià)磷原子后形成的半導(dǎo)體稱(chēng)為()。

A.本征半導(dǎo)體
B.P型半導(dǎo)體
C.N型半導(dǎo)體
D.化合物半導(dǎo)體

最新試題

3位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器的,計(jì)數(shù)長(zhǎng)度為()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

對(duì)理想運(yùn)放,當(dāng)運(yùn)放工作在線性區(qū)時(shí),其輸出電壓與兩個(gè)輸入端的電壓差呈非線性關(guān)系。

題型:判斷題

下面哪個(gè)集成元件為四位二進(jìn)制超前進(jìn)位全加器()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

從000一直到100這五個(gè)狀態(tài)是循環(huán)的,而且每來(lái)一個(gè)脈沖它就加一,很顯然它是一個(gè)()加法計(jì)數(shù)器。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

二進(jìn)制計(jì)數(shù)器具有分頻的作用,分頻的規(guī)律表現(xiàn)為:5位二進(jìn)制計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)()分頻。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

6進(jìn)制異步清零,最后一個(gè)計(jì)數(shù)狀態(tài)應(yīng)該為()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

3進(jìn)制的加法計(jì)數(shù)器,需要()塊JK觸發(fā)器。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

并聯(lián)型穩(wěn)壓電路中,硅穩(wěn)壓二極管應(yīng)和負(fù)載()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

集成運(yùn)放應(yīng)用范圍現(xiàn)已遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了數(shù)學(xué)運(yùn)算,涉及到了()測(cè)量和自動(dòng)控制等方面

題型:多項(xiàng)選擇題

9個(gè)JK觸發(fā)器,通過(guò)電路設(shè)計(jì),可以接成()進(jìn)制以?xún)?nèi)的,任意進(jìn)制的計(jì)數(shù)器。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題