A、底片黑度
B、曝光量
C、曝光量的對(duì)數(shù)
D、底片黑度的對(duì)數(shù)
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A、60Co
B、220kVpX射線
C、15MeVX射線
D、192Ir
A、相同
B、弱
C、強(qiáng)
D、以上都可能
A、管電流
B、管電壓
C、曝光時(shí)間
D、焦距
A、管電流
B、管電壓
C、曝光時(shí)間
D、焦距
A、射線太硬
B、顯影不足
C、顯影液陳舊失效
D、以上都對(duì)
最新試題
對(duì)于接觸法只須將能使缺陷落在其遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)內(nèi)的縱波直探頭在試件表面移動(dòng),即可獲得缺陷的()所在的位置,從而定出缺陷的平面位置。
當(dāng)波束中心線與缺陷面()且回波最()時(shí),移動(dòng)探頭使波束中心(),回波高度當(dāng)隨之下降。
渦流檢測(cè)輔助裝置的試樣傳動(dòng)裝置在()材生產(chǎn)線上的應(yīng)用最為廣泛。
直接射向缺陷的波就是()
渦流檢測(cè)線圈感應(yīng)和接收材料或零件中感生渦流的再生磁場(chǎng)的傳感器,它是構(gòu)成()系統(tǒng)的重要組成部分,對(duì)于檢測(cè)結(jié)果的好壞起著重要的作用。
無(wú)損探傷檢測(cè)采用的黑光燈和濾光片的作用是使其輻射波長(zhǎng)范圍為()mm,峰值波長(zhǎng)為365mm。
當(dāng)缺陷面積大于聲束截面時(shí),如果聲束軸線移到缺陷邊緣,缺陷波高約為聲束軸線在缺陷中部時(shí)波高的()
掃查方式一般視試件的()而定。
渦流檢測(cè)中的對(duì)比試樣的()和材質(zhì)相對(duì)被檢測(cè)產(chǎn)品必須具有代表性。
當(dāng)波束不再與缺陷相遇,則回波()