單項(xiàng)選擇題下列有關(guān)暴發(fā)--制腦電圖的表現(xiàn)，描述不正確的是（）。

A.提示嚴(yán)重缺氧性腦損傷
B.提示嬰兒癲癇性腦病
C.提示病人處于臨終狀態(tài)
D.提示中樞抑制性藥物中毒
E.抑制的長(zhǎng)短與麻醉程度無(wú)關(guān)


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1.單項(xiàng)選擇題老年人NREM睡眠期的特點(diǎn)主要包括（）。

A.頂尖波減少
B.深睡期延長(zhǎng)
C.覺(jué)醒次數(shù)減少
D.睡眠多呈片段性
E.思睡期和淺睡期縮短

2.單項(xiàng)選擇題下列有關(guān)β活動(dòng)的描述中正確的是（）。

A.分析腦電圖背景活動(dòng)最重要的指標(biāo)
B.正常成人腦電圖的主要成分
C.正常成年人清醒狀態(tài)下含量少，嬰幼兒較常見(jiàn)
D.有精神活動(dòng)時(shí)出現(xiàn)，安靜時(shí)少見(jiàn)
E.注視活動(dòng)的物體、眼球掃視運(yùn)動(dòng)時(shí)容易出現(xiàn)

3.單項(xiàng)選擇題多棘波的電生理特征不包括（）。

A.總是2個(gè)或者以上的棘波連續(xù)出現(xiàn)
B.突出于背景活動(dòng)
C.持續(xù)時(shí)間小于1s
D.局灶性出現(xiàn)
E.波幅不固定

4.單項(xiàng)選擇題在10-20電極安放系統(tǒng)中，如果癇樣放電出現(xiàn)在F3/F4，則通常提示放電最可能起源于大腦的部位是（）。

A.額葉內(nèi)側(cè)面
B.額葉背外側(cè)面
C.額葉底部
D.扣帶回前部
E.額極

5.單項(xiàng)選擇題可進(jìn)一步證實(shí)某導(dǎo)聯(lián)電位為心電偽跡的方法是（）。

A.常規(guī)增加一導(dǎo)聯(lián)記錄心電
B.調(diào)整耳電極
C.在出現(xiàn)偽跡電極附近增加一電極
D.降低出現(xiàn)偽跡電極阻抗
E.調(diào)整地線(xiàn)電極