A.主設(shè)備側(cè)光模塊損壞
B.RRU側(cè)光模塊損壞
C.主設(shè)備側(cè)光模塊型號(hào)不匹配
D.RRU側(cè)光模塊型號(hào)不匹配
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A.RRU掉電
B.Ir接口在BBU側(cè)的連接異常
C.Ir接口光纖損壞
D.Ir接口在RRU側(cè)的連接異常
A.增加EUTRA鄰小區(qū)
B.增加鄰UTRAN TDD小區(qū)
C.增加鄰UTRAN FDD小區(qū)
D.增加鄰小區(qū)關(guān)系
A.enb_110_20121221100500+8_cdl.lgz
B.ENB=110_2012-12-27-11-15-07.cfg
C.5116TDL_V3.10.00.13.DTZ
D.DTRRU_V3.10.00.13.DTZ
A.60
B.70
C.80
D.90
A.50
B.60
C.70
D.80
最新試題
TD-LTE系統(tǒng)中,有Msg0消息的隨機(jī)接入過程是()隨機(jī)接入過程。
每個(gè)異頻的鄰區(qū)均可以通過自身優(yōu)先級(jí)的設(shè)置來控制重選。()
故障處理一般需經(jīng)過故障信息收集、()、()、故障排除、經(jīng)驗(yàn)總結(jié)五個(gè)階段;其中故障信息收集階段尤為重要,信息收集越全面,對(duì)問題的解決就越有利。
基站的噪聲系數(shù)一般為()dB,而終端一般為()dB。
TD-LTE系統(tǒng)中,UE為了完成在網(wǎng)絡(luò)中的注冊,需要進(jìn)行()過程。
TD-LTE系統(tǒng)EPC中,完成NAS層信令處理的網(wǎng)元是()。
所謂網(wǎng)絡(luò)優(yōu)化,就是根據(jù)系統(tǒng)的()和(),對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行分析,并通過對(duì)網(wǎng)絡(luò)資源和系統(tǒng)參數(shù)的調(diào)整,使系統(tǒng)性能逐步得到改善,達(dá)到系統(tǒng)現(xiàn)有配置條件下的最優(yōu)服務(wù)質(zhì)量。
PCI由()和()共同決定,共有()個(gè)。
由性能閾值產(chǎn)生的告警為()告警。
對(duì)于節(jié)假日和重大活動(dòng)網(wǎng)絡(luò)保障,應(yīng)提前對(duì)eNB運(yùn)行溫度進(jìn)行巡檢——單板運(yùn)行溫度應(yīng)不高于60攝氏度,超過70攝氏度的應(yīng)列為()處理。