單項選擇題TDRU342E每通道的輸出功率為（）。
A.20W
B.30W
C.40W
D.50W
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題EMB5116 TD-LTE基站的高度為（）。
A.1U
B.2U
C.3U
D.4U
2.單項選擇題標準配置3小區(qū)，最大可支持連接態(tài)用戶數（）。
A.300
B.900
C.1200
D.3600
3.單項選擇題標準配置3小區(qū)，最大可支持激活態(tài)用戶數（）。
A.300
B.900
C.1200
D.3600
4.單項選擇題EMB5116 TD-LTE最多可以支持多少塊BPOG（）。
A.3
B.4
C.5
D.6
5.單項選擇題實現EMB5116 TD-LTE的業(yè)務和信令交換功能的板卡是（）。
A.BPOE
B.EMx
C.SCTE
D.BPOG
最新試題
eNB版本升級包括以下幾個環(huán)節(jié)：（）、版本下載、（）、版本核查（可選）、業(yè)務驗證。
題型：填空題
TD-LTE系統(tǒng)中，攜帶公共無線資源配置的系統(tǒng)消息是（）。
題型：填空題
TD-LTE系統(tǒng)中，RLC層不加頭的實體是（）模式實體。
題型：填空題
TD-LTE系統(tǒng)中，有Msg0消息的隨機接入過程是（）隨機接入過程。
題型：填空題
TD-LTE網絡容量規(guī)劃必須通過（）獲得。
題型：填空題
基站的噪聲系數一般為（）dB，而終端一般為（）dB。
題型：填空題
PCI由（）和（）共同決定，共有（）個。
題型：填空題
每個異頻的鄰區(qū)均可以通過自身優(yōu)先級的設置來控制重選。（）
題型：判斷題
TD-LTE系統(tǒng)EPC中，完成NAS層信令處理的網元是（）。
題型：填空題
切換過程可以采用競爭接入過程也可以采用非競爭接入過程。（）
題型：判斷題