在通常情況下，GaN呈（）型結構。

如果雜質既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質稱為（）。

最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

在光線作用下，能使物體產生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；